产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FMMT4230-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 320mV @ 200mA,2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 300 @ 1A,2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012V-512-P-T1
RG2012V-511-P-T1
RG2012V-622-P-T1
RG2012V-621-P-T1
RG2012V-912-P-T1
RG2012V-911-P-T1
RG2012V-1020-P-T1
RG2012V-1050-P-T1
RG2012V-1070-P-T1
RG2012V-1130-P-T1
RG2012V-1150-P-T1
RG2012V-1180-P-T1
RG2012V-1210-P-T1
RG2012V-1240-P-T1
RG2012V-1270-P-T1
RG2012V-1330-P-T1
RG2012V-1370-P-T1
RG2012V-1400-P-T1
RG2012V-1430-P-T1
RG2012V-1470-P-T1
