产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SC5729T106Q
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 50mA，2V
- 供应商器件封装 :
- UMT3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70，SOT-323
- 工作温度 :
- -
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MKS4U041009FD4KSSD
MKPFBW52009ED4KSSD
MKP1848H64070JY5
F340X154748MYP2T0
C4AULBW5900M3MK
C4AF1EW5750F3BK
B32354S3356K010
C4AFAEW5180F3BK
EZP-E1B356MTA
EZP-E1D256MTA
C4AF3EW5280F3BK
C4AKJBW5350A3PJ
FFV36C0106K--
MKP1848C63090JP5
B32928A4156K000
MKP1847620354Y5
DCP4N055009FD4KSSD
EZP-E80406MTA
B32778G0306K000
MKP1847630254Y5
