产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- PXT8050-D-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 80mA，800mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 100mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-89
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 25 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1.5 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
8N3DV85EC-0059CDI
8N3DV85EC-0059CDI8
8N3DV85EC-0060CDI
8N3DV85EC-0060CDI8
8N3DV85EC-0061CDI
8N3DV85EC-0061CDI8
8N3DV85EC-0062CDI
8N3DV85EC-0062CDI8
8N3DV85EC-0063CDI
8N3DV85EC-0063CDI8
8N3DV85EC-0064CDI
8N3DV85EC-0064CDI8
8N3DV85EC-0065CDI
8N3DV85EC-0065CDI8
8N3DV85EC-0066CDI
8N3DV85EC-0066CDI8
8N3DV85EC-0067CDI
8N3DV85EC-0067CDI8
8N3DV85EC-0068CDI
8N3DV85EC-0068CDI8
