文档与媒体
- 数据列表
- PBSS9110T-QR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 320mV @ 100mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 150 @ 500mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206J0630183GCT
MD011A821KAB
MD011C122KAB
MD015A821KAB
MD015C333MAB
CKC18X123MWGACAUTO
RDE7U3A203JUE1H03A
1812YA250471GGRSYS
VJ1825A561KBLAT4X
VJ1825A561KBGAT4X
VJ1825A561KBEAT4X
VJ1825A561JBLAT4X
VJ1825A561JBGAT4X
VJ1825A561JBEAT4X
VJ1825A391KBLAT4X
VJ1825A391KBGAT4X
VJ1825A391KBEAT4X
VJ1825A391JBLAT4X
VJ1825A391JBGAT4X
VJ1825A391JBEAT4X
