文档与媒体
- 数据列表
- PBSS4350T-QR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 370mV @ 300mA，3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 300 @ 1A，2V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 1.2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
EFM32WG390F256-B-BGA112
CY91F525BSCPMC1-GSE1
CY8C28645-24LTXI
CY8C28645-24LTXIT
CY9BF468NPMC-G-MNE2
MAX32626ITKBL+T
CY9BF468NPMC-GNE2
CY8C4247LTQ-L485
CY91F522BHBPMC1-GS-F4E1
C8051F563-IM
STM32L486VGT3TR
R5F56317DDFP#10
STM32L162ZET6
PIC32MX675F256H-80V/MR
PIC32MK0512GPK064-E/MR
PIC18LF258T-I/SO
PIC32MX675F256L-80V/BG
R5F2136CWKFP#U0
CY9BF566NPMC-G-MNE2
CY9BF568NPMC-G-MNE2
