产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC849B-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 225 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
STM32L053C6T6
DSPIC33CH64MP505-E/M4
DSPIC33CH64MP206-E/MR
MC9S08SF4MTJ
LPC11C12FBD48/301,
ATSAM3S4AA-MUR
ATSAML21G18B-ANT
STM32L422CBU6
EFM32HG210F64G-C-QFN32
PIC16LC63A-04I/SO
C8051F388-B-GQR
LPC5512JBD64E
LPC11A13FHI33/201,
MSP430F413IPM
S9S08SG32E1MTG
PIC32MX154F128B-V/SO
EFM32JG1B200F256GM48-C0
R5F100PJAFA#30
C8051F521A-IM
PIC32MX174F256B-I/SO
