产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD2211T100Q
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 2V @ 100mA,1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 120 @ 100mA,5V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1.5 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
APSC00101140150M00
AISC-0402HP-3N3J-T
ASPI-0315FS-470M-T2
7447840022G
ADL2012S-1R2M-T01
7447860082G
1120-152K-RC
SRP1510CA-150M
AMPLA4020Q-2R2MT
HMLQ20161T-1R5MDR
TMS322512ALM-4R7MTAA
7447840118G
SRN6045TA-8R2M
7447860133G
1120-222K-RC
SRP1510CA-5R6M
AMDLA3020Q-3R3MT
AISC-0603-R10J-T
TMS322512ALM-3R3MTAA
MLG0603S16NJT000
