产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD2211T100Q
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 2V @ 100mA,1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 120 @ 100mA,5V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1.5 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342K11B49D9RT0V
M55342K11B51E1RT0V
M55342K11B86E6RT0V
M55342K11B52D3RT0V
M55342K11B23E7RT0V
M55342K11B75E0RT0V
M55342K11B301ART0
M55342H11B2E49RT0
M55342K11B5B20RT0
M55342K11B9E53RT0V
M55342K11B30E1RT0V
M55342K11B30D1RT0V
M55342E11B3B16RT0
M55342K11B10B0PT0
M55342K11B40B2RT0
M55342K11B15B6RW0
M55342E11B12B1RT0
M55342K11B18E2RT0V
M55342K11B1B10RT0
M55342H11B33D0RT0
