产品概览
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- 数据列表
- SBSP52T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.3V @ 500µA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 2000 @ 500mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223（TO-261）
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
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