产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SBC856ALT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 125 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 65 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
NTTFS4C25NTWG
NVMFS5C404NT3G
NVMFS5C404NWFT1G
NVMFS5C404NWFT3G
NVMFS5C423NLT3G
NVMFS5C423NLWFT1G
NVMFS5C423NLWFT3G
NVMFS5C670NLWFT1G
NVMFS5C670NLWFT3G
SFT1431-TL-W
SFT1431-W
IPA60R330P6XKSA1
IPP60R230P6XKSA1
IPP60R330P6XKSA1
IPP60R380P6XKSA1
IPW60R230P6FKSA1
IPW60R330P6FKSA1
IPL60R255P6AUMA1
GA100JT12-227
GA20SICP12-247
