产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MJD50G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 200mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 30 @ 300mA，10V
- 供应商器件封装 :
- DPAK
- 功率 - 最大值 :
- 1.56 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 400 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 200µA
- 频率 - 跃迁 :
- 10MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1812J2000684JXT
1812J2500684JXT
1812J5000182FAT
1812Y0500221FCT
1812Y0630221FCT
1812J1K00222GAT
1812J6300222GAT
2225J6K00181KCT
1210J0500221FAT
1210J0630221FAT
1210J1000221FAT
1210J1K00221FAT
1210J2000221FAT
1210J5000221FAT
1210J6300221FAT
2220Y2K00104MXTWS3
2220Y0500151GCT
2220Y0630151GCT
2220Y1000151GCT
2220Y2000151GCT
