产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KSD363RTU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 100mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 40 @ 1A，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-220-3
- 功率 - 最大值 :
- 40 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 120 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 6 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1mA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 10MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CY9AF004BGL-G-103-K7ERE1
CY8C4147LQA-S243T
CY8C4147LQA-S243
CY8C4124PVS-S412T
CY8C4124PVS-S412
STM8AL3L8ATCY
R5F104LLGLA#U0
R5F52316CGND#20
Z8F1622AR020SG
C8051F387-GMR
MB96F643ABPMC-GE1
MB96F643RBPMC-GE1
MB96F645ABPMC-GE1
MB96F645RBPMC-GE1
MB96F647RBPMC-GE1
Z8F1233HJ020EG
DSPIC33FJ09GS302-I/SO
R5F110NGALA#W0
PIC24FJ512GU408-E/PT
PIC32MX230F128H-V/PT
