产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MJD31CT4G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.2V @ 375mA，3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 10 @ 3A，4V
- 供应商器件封装 :
- DPAK
- 功率 - 最大值 :
- 1.56 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50µA
- 频率 - 跃迁 :
- 3MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342H12B43D0RT0
M55342K06B3B65RT0
M55342K06B3E40RT0V
M55342K06B825ART0
M55342H12B2E20PT0
M55342K12B130BRT0
M55342K06B576ART0
M55342H12B182JRT0
M55342K06B88B7RT0
M55342K12B2B00RT0
M55342H12B75E0RT0
M55342M12B200BCT0
M55342K12B2B55RT0
M55342H12B78D0RT0
M55342K06B60D4RT0V
M55342H12B4B32RT0
M55342H12B49E9RT0
M55342H12B4E75RT0
M55342H12B4B70PT0
M55342K12B18B0RT0
