产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SCR533P5T100
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 350mV @ 50mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 180 @ 50mA，3V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 320MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5338C-B03028-GM
SI5338C-B03076-GM
SI5338C-B03091-GM
SI5338C-B03112-GM
SI5338C-B03178-GM
SI5338C-B03195-GM
SI5338C-B03239-GM
SI5338C-B03303-GM
SI5338C-B03459-GM
SI5338C-B03460-GM
SI5338C-B03484-GM
SI5338C-B03590-GM
SI5338C-B03671-GM
SI5338C-B03703-GM
SI5338C-B03704-GM
SI5338C-B03714-GM
SI5338C-B03792-GM
SI5338C-B03797-GM
SI5338C-B03831-GM
SI5338C-B04009-GM
