产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SAR512PFRAT100
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 35mA,700mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 100mA,2V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 430MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
LPWI201610TBR47T
ASPI-0628-4R7M-T1
BPCF00060628100M00
BMRB000606504R7MA1
BMQA000606304R7MA1
AIUR-07-151K
IDCP3020ER391M
LQW15CNR22K10D
AISC-0603F-R27J-T
ASPI-0628-6R2M-T1
BMCA000505124R7MB1
BMRB000606503R3MA1
BMQA000606306R8MA1
AIUR-07-181K
IDCP3020ER470M
LQW15CNR27K10D
AISC-0603F-6R8J-T
ASPI-0628-680M-T1
BPCF000606284R7M00
BMRB000606501R0MA1