产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1781KT146Q
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 100mA，3V
- 供应商器件封装 :
- SMT3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 800 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GCJ216R71H272KA01J
GCJ216R71H122MA01J
GCJ216R71H182MA01J
GCJ216R71H392MA01J
GCJ216R71H472MA01J
GCJ216R71H182KA01J
GCM188R71E104JA57J
GRM21BR71E334MA01K
GCJ216R71H272MA01J
GCJ216R71H392KA01J
GCJ216R71H222MA01J
GCJ216R71H152MA01J
GCJ216R71H332MA01J
GCJ216R71H562MA01J
GCM21BL81H104MA37K
GRT31MC81E155KE01K
GJM0225C1E9R4WB01L
GJM0225C1E7R1WB01L
GJM0225C1E6R2WB01L
GJM0225C1E7R6WB01L
