产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1781KT146Q
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 50mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 120 @ 100mA,3V
- 供应商器件封装 :
- SMT3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 800 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 500nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG3216V-2491-B-T1
RG3216V-2551-B-T1
RG3216V-2611-B-T1
RG3216V-2671-B-T1
RG3216V-2741-B-T1
RG3216V-2801-B-T1
RG3216V-2871-B-T1
RG3216V-2941-B-T1
RG3216V-3011-B-T1
RG3216V-3091-B-T1
RG3216V-3161-B-T1
RG3216V-3241-B-T1
RG3216V-3321-B-T1
RG3216V-3401-B-T1
RG3216V-3481-B-T1
RG3216V-3571-B-T1
RG3216V-3651-B-T1
RG3216V-3741-B-T1
RG3216V-3831-B-T1
RG3216V-3921-B-T1
