产品概览
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- 数据列表
- 2SAR502E3HZGTL
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 10mA，200mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 100mA，2V
- 供应商器件封装 :
- EMT3
- 功率 - 最大值 :
- 150 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-75，SOT-416
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 200nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 520MHz
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