文档与媒体
- 数据列表
- BC857BQCZ
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 850mV @ 5mA, 100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 220 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- DFN1412D-3
- 功率 - 最大值 :
- 360 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装,可润湿侧翼
- 封装/外壳 :
- 3-XDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
LNY2G222MSEGBN
E36L351CPN222MDA5U
LNT2H681MSEFBB
LNT2H681MSEFBN
CGS253U050R4C
LNX2W182MSEFBB
LNX2W182MSEFBN
PSU43065
E32D600HPN283TEE3U
ALS80C683QC063
ALS80H683QC063
ALS81A683QC063
ALS81C683QC063
ALS81H683QC063
601D906F150HJ1
CGS461T450R3C
E36D251LPN472TD79U
36DE203G025AB2A
601D107F150GJ7
601D108G025GJ3
