文档与媒体
- 数据列表
- BC857BQCZ
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 850mV @ 5mA， 100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 220 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- DFN1412D-3
- 功率 - 最大值 :
- 360 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳 :
- 3-XDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CRCW251245K3FKEG
CRCW251251K0FKEG
CRCW251252K3FKEG
CRCW251254K9FKEG
CRCW251256K0FKEG
CRCW251257K6FKEG
CRCW251260K4FKEG
CRCW251262K0FKEG
CRCW251263K4FKEG
CRCW251266K5FKEG
CRCW251268K0FKEG
CRCW251269K8FKEG
CRCW251273K2FKEG
CRCW251276K8FKEG
CRCW251280K6FKEG
CRCW251282K0FKEG
CRCW251284K5FKEG
CRCW251288K7FKEG
CRCW251291K0FKEG
CRCW251293K1FKEG
