产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT2907AHE3-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.6V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E11B7B50RT5
M55342E11B9B53RT5
M55342E11B18B9RT5
M55342E11B19B6RT5
M55342E11B13B7RT5
M55342E11B60B4RT5
M55342E11B619ART5
M55342E11B3B92RT5
M55342E11B23B7RT5
M55342E11B499ART5
M55342E11B24B9RT5
M55342E11B26B1RT5
M55342E11B18B0RT5
M55342E11B49A9RT5
M55342E11B240ART5
M55342E11B15B8RT5
M55342E11B243ART5
M55342E11B49B9RT5
M55342E11B4B02RT5
M55342E11B4B59MT5
