产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC856BHE3-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 650mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 220 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 310 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- -
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 65 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73S1JRTTD97R6F
SG73S1JRTTD2321F
SG73S1JRTTD2000F
SG73S1JRTTD560G
SG73S1JRTTD7502F
SG73S1JRTTD26R1F
SG73S1JRTTD3300F
SG73S1JRTTD39R0F
SG73S1JRTTD76R8F
SG73S1JRTTD9103F
SG73S1JRTTD4221F
SG73S1JRTTD475G
SG73S1JRTTD10R2F
SG73S1JRTTD154G
SG73S1JRTTD21R0F
SG73S1JRTTD3301F
SG73S1JRTTD4753F
SG73S1JRTTD3652F
SG73S1JRTTD2493F
SG73S1JRTTD17R4F
