产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD1898T100R
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 20mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 180 @ 500mA,3V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CGA2B1X8R1E473M050BE
CGA3E3X8R1H683M080AB
K104Z10Y5VF5TH5
C0603C180K8GAC7867
CGA2B2X8R2A471M050BA
C0402C0G1C270J020BC
C1005X6S0G225M050BC
C1608X5R1V474K080AB
CBR04C560J5GAC
C0805C470J2GAC7800
C0805C120J3GAC7800
C1005X8R2A222M050BA
GRM1885C1H1R0WA01D
CGA2B3X8R1C473K050BD
CGA3E2X7R1H103K080AD
CGA3E2C0G2A120J080AD
12101C332K4T2A
C2012JB2A683M085AA
VJ0805A391JXACW1BC
CGA3E2C0G2A561J080AD
