产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- SMSD602-RT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 30mA，300mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SC-59
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GQM2195C1H4R8CB01D
GCM0335C1E2R6CA16J
GQM1885C1H7R2DB01D
GRT033R61A682ME01D
GQM2195C1H5R3DB01D
GQM2195C1H6R4DB01J
GCM21A5C2J201JX01D
GQM1885C1H7R1CB01D
GRM033R71C911KA01J
GJM0335C2A7R8BB01W
GQM2195C1H3R4DB01J
GGM2165C2A272JA16D
GRM31A5C2E152JWA1D
GRM21A5C2E241JW01D
GQM2195C1H5R3DB01J
GRM155R71H432MA01D
GXM2165C1H241JA02D
GQM1885C2A3R9DB01D
GXM1555C1E5R0CA02D
GXM1555C1H300JA02D
