产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC858AWHE3-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 125 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-323
- 功率 - 最大值 :
- 150 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70，SOT-323
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN731JTTD1263F25
RN731JTTD1371C25
RN731JTTD1400D100
RN731JTTD1351C10
RN731JTTD1450C25
RN731JTTD1371F10
RN731JTTD1322D10
RN731JTTD1403B25
RN731JTTD1472F25
RN731JTTD1421F10
RN731JTTD1290B25
RN731JTTD1431F25
RN731JTTD14R5F50
RN731JTTD1270B25
RN731JTTD14R9D50
RN731JTTD14R3F25
RN731JTTD1492F10
RN731JTTD1382C50
RN731JTTD13R7D50
RN731JTTD1351D100
