文档与媒体
- 数据列表
- BCW66GR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 450mV @ 50mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 160 @ 100mA,1V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 45 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 800 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 5µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
IS42RM32100D-75BLI
W25R128JWSIQ
DS2704G+T&R
SST39SF020A-55-4I-NHE-T
MX25U12835FZNJ-13G
GT28F320B3TA100
GT28F320C3BA100SB93
GT28F320C3TA100SB93
AT45DB161D-CCU
AS6C62256-55SCNTR
AS6C6264-55SCNTR
AS7C164A-15JCNTR
IS43R16160F-5TL-TR
IS66WV51216EBLL-55TLI-TR
AS4C8M16D1A-5TCNTR
AS4C4M16SA-6TINTR
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
IS42S81600F-6TL
S25FL128SAGMFVG00
IS42S16800F-6BLI-TR
