产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD2656T106
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 350mV @ 25mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 270 @ 100mA，2V
- 供应商器件封装 :
- UMT3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-70，SOT-323
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 400MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H1JTTD5230B10
RN73H1JTTD3322B10
RN73H1JTTD3280B10
RN73H1JTTD4272B10
RN73H1JTTD52R3B10
RN73H1JTTD3701B10
RN73H1JTTD6422B10
RN73H1JTTD5171B10
RN73H1JTTD3160B10
RN73H1JTTD9882B10
RN73H1JTTD8981B10
RN73H2ATTD1063B10
RN73H1JTTD95R3B10
RN73H2ATTD1022B10
RN73H2ATTD1183B10
RN73H2ATTD1322B10
RN73H1JTTD7232B10
RN73H1JTTD76R6B10
RN73H2ATTD1332B10
RN73H2ATTD1261B10
