产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N5551BU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 80 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SCRH105-270
AMPLA5030S-1R2MT
SCRH5D28R-560
ASPI-8040LR-R82M-T
CDRH104NP-101MC
RL895-392K-RC
B82442T1565K050
SRR0908-220ML
SCRH105-271
AMPLA5030S-150MT
SCRH5D28R-5R0
ASPI-8040LR-150N-T
CDRH104NP-120MC
RL895-470K-RC
B82442T1823K050
SRR0908-221YL
SCRH105-2R5
AMPLA7030S-8R2MT
SCRH5D28R-680
ASPI-8040LR-3R3M-T
