产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SCR513P5T100
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 350mV @ 25mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 180 @ 50mA，2V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 360MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73P2ATTD8450D
SG73P2ATTD8660D
SG73P2ATTD8870D
SG73P2ATTD9090D
SG73P2ATTD9100D
SG73P2ATTD9310D
SG73P2ATTD9530D
SG73P2ATTD9760D
SG73P2ATTD1001D
SG73P2ATTD1021D
SG73P2ATTD1051D
SG73P2ATTD1071D
SG73P2ATTD1101D
SG73P2ATTD1131D
SG73P2ATTD1151D
SG73P2ATTD1181D
SG73P2ATTD1201D
SG73P2ATTD1211D
SG73P2ATTD1241D
SG73P2ATTD1271D
