文档与媒体
- 数据列表
- PBSS5130T,215
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 225mV @ 50mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 260 @ 500mA，2V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 480 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
PM5401.562NLT
PA5448.682NLT
BPXX000505306R8T00
RCH875NP-182K
APCI00101040330MY0
CDRH4D22HPNP-1R5NC
BPCF00131375470M00
IMC1812ER10NM
PM5401.682NLT
PM5447.221NLT
BPXX00050530470T00
RCH875NP-220K
APCI00101040331MY0
CDRH4D22HPNP-220MC
BPCF00131365680T00
IMC1812ER12NM
PM5401.681NLT
PM5447.472NLT
BPXX00050530470M00
RCH875NP-221K
