产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD2704KT146
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 100mV @ 3mA,30mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 820 @ 4ma,2V
- 供应商器件封装 :
- SMT3
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 300 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 35MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
VJ0603D7R5BXBAC
VJ0603D7R5BXBAJ
VJ0603D7R5BXBAP
VJ0603D7R5BXCAC
VJ0603D7R5BXCAJ
VJ0603D7R5BXCAP
VJ0603D7R5BXPAC
VJ0603D7R5BXPAP
VJ0603D7R5BXXAC
VJ0603D7R5BXXAJ
VJ0603D7R5BXXAP
VJ0603D7R5CLAAC
VJ0603D7R5CLAAJ
VJ0603D7R5CLAAP
VJ0603D7R5CLBAC
VJ0603D7R5CLBAJ
VJ0603D7R5CLBAP
VJ0603D7R5CLCAC
VJ0603D7R5CLCAJ
VJ0603D7R5CLCAP
