文档与媒体
- 数据列表
- PMBT5550,215
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 250mV @ 5mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 60 @ 10mA,5V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 140 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 300 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 50nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR34BP103AFSS\M1K
CDR34BP103AFSM\M1K
CDR34BP103AFUR-ZACAM
CDR34BP103AFSP\M1K
CDR34BP103AFSR\M
CDR34BP103AFSP\M
CDR34BP103AFUM-ZACAM
CDR34BP222BFUP\M1K
CDR34BP222BFUR\M1K
CDR34BP103AFUP-ZANA2
CDR34BP103AFUR-ZANA2
2225Y1K20102KCT
2225Y1K50102KCT
2225Y2K00102KCT
2225Y2K50102KCT
2225Y3K00102KCT
2220JA300153KSTU3X
VJ2220Y824KBBAT4X
VJ2220Y824KBAAT4X
VJ2220Y564KBBAT4X
