产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT5551-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MKP386M520085JT6
BFC238680684
BFC238682684
BFC238621335
BFC238621395
BFC238623335
BFC238623395
BLH117K701C154
BLH117K601C094
MKP386M433250JT2
MKP386M456200JT2
MKT1820656015M
MKP385624025JPI4T0
MKP385624025JPM4T0
MKP385624025JPP4T0
MKP385633016JPI2T0
MKP385633016JPM2T0
MKP385633016JPP2T0
MKP385618040JYI2T0
MKP385618040JYM2T0
