产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT5550LT1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 60 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 225 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 140 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CRCW040219R1FKED
CRG0805F8K2
RMCF0402FT1R33
RK73H2ATTD9530F
ERJ-6ENF2673V
CRCW12066K98FKEA
RC0603J100CS
RMCF0603FT665R
ERJ-1GNF12R4C
CR0402-JW-184GLF
RK73H1ETTP1R80F
RK73H2ATTD7323F
RK73H1JTTD11R5F
RT0805FRE0762KL
RC0201JR-074M3L
RK73H2BTTD1740F
RK73H2BTTD1472F
RNCP0805FTD40K2
RMCF1206FT4R42
CRCW0201118RFNED
