产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC858CLT3G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 420 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73R2ATTD3302A05
RN73R2ATTD4370A05
RN73R2ATTD5761A05
RN73R2ATTD8060A05
RN73R2BTTD1052A05
RN73R2ATTD5300A05
RN73R2ATTD3400A05
RN73R2ATTD7321A05
RN73R2ATTD4322A05
RN73R2ATTD9102A05
RN73R2ATTD5690A05
RN73R2ATTD9760A05
RN73R2ATTD5102A05
RN73R2ATTD4640A05
RN73R2ATTD7230A05
RN73R2ATTD3602A05
RN73R2ATTD8352A05
RN73R2ATTD5420A05
RN73R2ATTD9762A05
RN73R2ATTD8661A05
