产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- UNR42100RA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 300µA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 160 @ 5mA，10V
- 供应商器件封装 :
- NS-B1
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 3-SIP
- 晶体管类型 :
- NPN - 预偏压
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- -
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 47 kOhms
- 频率 - 跃迁 :
- 150 MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-817B24AY-B2-U
S-817B26AY-B2-U
S-817B27AY-B2-U
S-817B28AY-B2-U
S-817B29AY-B2-U
S-817B31AY-B2-U
S-817B32AY-B2-U
S-817B34AY-B2-U
S-817B35AY-B2-U
S-817B36AY-B2-U
S-817B37AY-B2-U
S-817B38AY-B2-U
S-817B39AY-B2-U
S-817B42AY-B2-U
S-817B43AY-B2-U
S-817B44AY-B2-U
S-817B45AY-B2-U
S-817B46AY-B2-U
S-817B47AY-B2-U
S-817B48AY-B2-U
