数据列表

MUN5114T1

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

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供应商器件封装 :

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功率 - 最大值 :

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安装类型 :

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封装/外壳 :

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晶体管类型 :

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电压 - 集射极击穿（最大值） :

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电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

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电流 - 集电极截止（最大值） :

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电阻器 - 发射极 (R2) :

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电阻器 - 基极 (R1) :

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频率 - 跃迁 :

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