数据列表

NSB9435T1G

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

550mV @ 300mA，3A

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

125 @ 800mA，1V

供应商器件封装 :

SOT-223（TO-261）

功率 - 最大值 :

720 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-261-4，TO-261AA

晶体管类型 :

PNP - 预偏压

电压 - 集射极击穿（最大值） :

30 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

3 A

电流 - 集电极截止（最大值） :

-

电阻器 - 发射极 (R2) :

-

电阻器 - 基极 (R1) :

10 kOhms

频率 - 跃迁 :

110 MHz