产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- PDTD123YT-QR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 2.5mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 70 @ 50mA,5V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 晶体管类型 :
- NPN - 预偏压
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 500nA
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 10 kOhms
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 2.2 kOhms
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MOS2CT52R270J
MRS16000C4702FC100
MOS2CT52R621J
MOSX2CT52RR20J
MOS2CT52R151J
MOSX2CT52A4R7J
MOS2CT52R751J
MOS2CT52R271J
MOS2CT52R181J
MRS16000C1000FC100
MOS2CT52R433J
FMP100JR-52-2R2
PR02000201808JR500
PR02000209102JR500
PR02000202408JR500
VR25000003004JR500
PR02000201003JR500
VR25000003603JR500
VR25000006203JR500
VR25000001303JR500
