产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- PDTA123JT,215
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 100mV @ 250µA,5mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 10mA,5V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 晶体管类型 :
- PNP - 预偏压
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 电阻器 - 发射极 (R2) :
- 47 kOhms
- 电阻器 - 基极 (R1) :
- 2.2 kOhms
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
D55342E07B1E24RWI
D55342H07B33A0RWI
D55342E07B37E9RWI
D55342K07B2E55RTIV
D55342E07B1E33RTI
D55342E07B1E24PTI
D55342K07B2E74RTIV
D55342K07B604ARTI
D55342K07B48B1RTI
D55342E07B75E0RWP
D55342K07B9B65RTI
D55342E07B1E30RTI
D55342H07B33D0RWI
D55342E07B1B02RTI
D55342E07B301ERWI
D55342E07B28B7RWI
D55342H07B560HRWP
D55342H07B54B9PTP
D55342H07B1F00PTI
D55342E07B1E40RTI
