数据列表

DTB114GCHZGT116

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :

300mV @ 2.5mA，50mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :

56 @ 50mA，5V

供应商器件封装 :

SST3

功率 - 最大值 :

200 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

晶体管类型 :

PNP - 预偏压

电压 - 集射极击穿（最大值） :

50 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

500 mA

电流 - 集电极截止（最大值） :

500nA（ICBO）

电阻器 - 发射极 (R2) :

10 kOhms

电阻器 - 基极 (R1) :

-

频率 - 跃迁 :

200 MHz