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2SK3666-3-TB-E

FET 类型 :

N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :

180 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :

1.2 mA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

4pF @ 10V

供应商器件封装 :

SMCP

功率 - 最大值 :

200 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

工作温度 :

150°C（TJ）

漏极电流 (Id) - 最大值 :

10 mA

漏源电压（Vdss） :

30 V

电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :

-

电阻 - RDS(On) :

200 Ohms