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KSK30RBU

FET 类型 :

N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :

400 mV @ 100 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :

300 µA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

8.2pF @ 0V

供应商器件封装 :

TO-92-3

功率 - 最大值 :

100 mW

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

工作温度 :

125°C（TJ）

漏极电流 (Id) - 最大值 :

-

漏源电压（Vdss） :

-

电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :

50 V

电阻 - RDS(On) :

-