产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N5459_D75Z
产品详情
- FET 类型 :
- N 通道
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :
- 2 V @ 10 nA
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :
- 4 mA @ 15 V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 7pF @ 15V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏极电流 (Id) - 最大值 :
- -
- 漏源电压(Vdss) :
- -
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :
- 25 V
- 电阻 - RDS(On) :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-1000N21-I4T1G
S-1000N22-I4T1G
S-1000N23-I4T1G
S-1000N24-I4T1G
S-1000N25-I4T1G
S-1000N26-I4T1G
S-1000N27-I4T1G
S-1000N28-I4T1G
S-1000N29-I4T1G
S-1000N30-I4T1G
S-1000N31-I4T1G
S-1000N32-I4T1G
S-1000N33-I4T1G
S-1000N34-I4T1G
S-1000N35-I4T1G
S-1000N36-I4T1G
S-1000N37-I4T1G
S-1000N38-I4T1G
S-1000N39-I4T1G
S-1000N40-I4T1G
