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- 数据列表
 - PMBFJ309,215
 
产品详情
- FET 类型 :
 - N 通道
 
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :
 - 1 V @ 1 µA
 
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :
 - 12 mA @ 10 V
 
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
 - 5pF @ 10V
 
- 供应商器件封装 :
 - SOT-23(TO-236AB)
 
- 功率 - 最大值 :
 - 250 mW
 
- 安装类型 :
 - 表面贴装型
 
- 封装/外壳 :
 - TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
 
- 工作温度 :
 - 150°C(TJ)
 
- 漏极电流 (Id) - 最大值 :
 - -
 
- 漏源电压(Vdss) :
 - 25 V
 
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :
 - 25 V
 
- 电阻 - RDS(On) :
 - 50 Ohms
 
