数据列表

MQ2N2608UB/TR

FET 类型 :

P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :

750 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :

1 mA @ 5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

10pF @ 5V

供应商器件封装 :

UB

功率 - 最大值 :

300 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

3-SMD，无引线

工作温度 :

-65°C ~ 200°C（TJ）

漏极电流 (Id) - 最大值 :

-

漏源电压（Vdss） :

-

电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :

30 V

电阻 - RDS(On) :

-