产品概览
文档与媒体
产品详情
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :
- 1 V @ 1 nA
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :
- 7 mA @ 10 V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 5pF @ 10V
- 供应商器件封装 :
- TO-71
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-71-6 金属罐
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏极电流 (Id) - 最大值 :
- -
- 漏源电压(Vdss) :
- -
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :
- 25 V
- 电阻 - RDS(On) :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
LQH32CH220K53L
BWQC00322520331J00
BWHP00161008R25J00
LCXPD2020KKT1R0N0G
SDCL1V3015-101M-R
LSDND2020JET2R2MM
AWHH0016110818NH00
BWQV003225206R8K00
LQH32CH2R2M53L
BWQC00322520R47ML1
BWHP00161008R25H00
LCXPD2020MKT4R7M0G
SDCL1V3015-220M-R
LLDND2020MKT3R3MM
BWVS006060451R8M00
BWQV00322520330J00
LQH32CH4R7M53L
BWQC003225203R3K00
BWHP00161008R27J00
LCXPD2020MKT1R5N0G
