产品概览
文档与媒体
产品详情
- FET 类型 :
- 2 个 N 沟道
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :
- 1 V @ 1 nA
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :
- 7 mA @ 10 V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 5pF @ 10V
- 供应商器件封装 :
- TO-71
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-71-6 金属罐
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 漏极电流 (Id) - 最大值 :
- -
- 漏源电压(Vdss) :
- -
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :
- 25 V
- 电阻 - RDS(On) :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H2ATTD6732C50
RN73H2ATTD7062B25
RN73H2ATTD6491C50
RN73H2ATTD6490B25
RN73H2ATTD6572C50
RN73H2ATTD6041C50
RN73H2ATTD6040B50
RN73H2ATTD62R6C50
RN73H2ATTD5902C50
RN73H2ATTD8982C50
RN73H2ATTD7960C25
RN73H2ATTD9881B25
RN73H2ATTD5973B25
RN73H2ATTD6260C50
RN73H2ATTD6042C25
RN73H2ATTD9093C50
RN73H2ATTD87R6C50
RN73H2ATTD7503C25
RN73H2ATTD7773C25
RN73H2ATTD83R5B50
