数据列表

2SK879-GR(TE85L,F)

FET 类型 :

N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :

400 mV @ 100 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :

2.6 mA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

8.2pF @ 10V

供应商器件封装 :

USM

功率 - 最大值 :

100 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SC-70，SOT-323

工作温度 :

125°C（TJ）

漏极电流 (Id) - 最大值 :

-

漏源电压（Vdss） :

-

电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :

-

电阻 - RDS(On) :

-