产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- RBR10BGE40ATL
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 620 mV @ 5 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 120 µA @ 40 V
- 二极管配置 :
- 1 对共阴极
- 供应商器件封装 :
- TO-252GE
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 - 结 :
- 150°C
- 技术 :
- 肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 40 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） :
- 10A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
L-05B2N7SV6T
ASMCI-0805-4R7M-T
LQG15HN15NJ02D
MLJ1608WR16JT000
744762222A
NLCV32T-470K-EFD
MCL2012V2-560-R
L-05B5N6SV6T
NRH2410T220MN
LQG15HN18NJ02D
MLJ1608WR39JT000
TFM252012ALMA1R0MTAA
NLCV32T-100K-EFD
MCL2012V2-100-R
L-05B1N0SV6T
MLZ2012M4R7HTD25
LQG15HS12NJ02D
MLJ1608WR47JT000
TFM252012ALMAR15MTAA
AIML-1008HC-4R7M-T
