产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MUR1100-AP
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.75 V @ 1 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 5 µA @ 1000 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 20pF @ 4V,1MHz
- 供应商器件封装 :
- DO-41
- 反向恢复时间 (trr) :
- 75 ns
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- DO-204AL,DO-41,轴向
- 工作温度 - 结 :
- -50°C ~ 150°C
- 技术 :
- 标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
- 1000 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 1A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG3216N-1100-P-T1
RG3216N-1200-P-T1
RG3216N-1300-P-T1
RG3216N-1500-P-T1
RG3216N-1600-P-T1
RG3216N-1800-P-T1
RG3216N-2000-P-T1
RG3216N-2200-P-T1
RG3216N-2400-P-T1
RG3216N-2700-P-T1
RG3216N-3000-P-T1
RG3216N-3300-P-T1
RG3216N-3600-P-T1
RG3216N-3900-P-T1
RG3216N-4300-P-T1
RG3216N-4700-P-T1
RG3216N-5100-P-T1
RG3216N-5600-P-T1
RG3216N-6200-P-T1
RG3216N-6800-P-T1
