文档与媒体
- 数据列表
- 1N5809US
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 875 mV @ 4 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 5 µA @ 100 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 60pF @ 5V,1MHz
- 供应商器件封装 :
- -
- 反向恢复时间 (trr) :
- 30 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SQ-MELF
- 工作温度 - 结 :
- -
- 技术 :
- 标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
- 100 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 6A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN731JTTD2202D100
RN731JTTD1963C50
RN731JTTD2082F10
RN731JTTD2130F100
RN731JTTD2151D10
RN731JTTD2153C50
RN731JTTD21R5D25
RN731JTTD2180C25
RN731JTTD2151F100
RN731JTTD21R5F50
RN731JTTD2130C50
RN731JTTD2183D100
RN731JTTD2082F100
RN731JTTD20R8D100
RN731JTTD18R4F100
RN731JTTD2152F10
RN731JTTD2183C25
RN731JTTD2132D100
RN731JTTD21R3D25
RN731JTTD21R0B25
