产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IDL08G65C5XUMA1
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.7 V @ 8 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 140 µA @ 650 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 250pF @ 1V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- PG-VSON-4
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 4-PowerTSFN
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 150°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 650 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 8A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
D55342E07B56A9RTI
D55342H07B200DPTI
D55342H07B590DRTI
D55342H07B20E0RTI
D55342K07B30D1RTIV
D55342E07B8B76RWI
D55342K07B30B9RTP
D55342E07B392BRTI
D55342E07B243BRTI
D55342H07B5B23PTI
D55342E07B243ERWI
D55342E07B3B28RTI
D55342E07B1B10CTI
D55342E07B100DRTI
D55342E07B8E06RTI
D55342E07B4E42RTI
D55342E07B8B98RWI
D55342E07B12E1RWI
D55342E07B316DRTI
D55342H07B657ARTI
