产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- IDD04SG60CXTMA1
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 2.3 V @ 4 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 25 µA @ 600 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 80pF @ 1V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- PG-TO252-3-11
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 600 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 5.6A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RL80E561MDNASQKX
RF80E561MDN1JT
RF80J331MDN1PX
RR70E681MDN1
APSG250ELL820MF08S
APSF2R5ELL162MH08S
RNU1C271MDN1PX
RNS1C101MDN1PX
RNS1C181MDN1PX
RNS1C680MDN1PX
APXF2R5ARA561MH70G
RNU1C181MDN1
106XMPL012MG19
RS80E331MDNASQPX
RS80J331MDNASQPX
RR50E102MDN1KX
RR50E102MDN1PX
RR50E821MDN1KX
RR50E821MDN1PX
APD0606220M050R
